·  硬件：

CPU：第十二代 i5 酷睿處理器及以上；

內(nèi)存：16G 及以上；

硬盤：512G SSD 及以上；

顯示器：27 寸及以上。

·  伽馬解譜分析軟件：

適用系統(tǒng)：能在任意版本W(wǎng)indows操作系統(tǒng)上正常運(yùn)行；

操作模式：內(nèi)置源代碼多語言操作系統(tǒng)， 可選全中文操作界面，具有譜控制、獲取、分析、報(bào)告與質(zhì)保功能；

功能：可以完成尋峰、峰面積計(jì)算、本底扣除、效率修正加權(quán)平均活度計(jì)算、母體-子體衰變修正、

探測(cè)下限（MDA）計(jì)算、級(jí)聯(lián)符合相加校正、自動(dòng)或手工操作進(jìn)行剝譜，以正確地對(duì)多核素間干擾進(jìn)行校正；

軟件可設(shè)置以下預(yù)置條件：指定MDA，指定統(tǒng)計(jì)測(cè)量，活時(shí)間，實(shí)時(shí)間，峰面積及譜計(jì)數(shù)率等；

對(duì)峰核素加標(biāo)識(shí)，以供操作員控制，求平均活度，選擇性活度報(bào)告及 MDA 報(bào)告。

·  實(shí)驗(yàn)室無源效率刻度 ：

軟件適用系統(tǒng)：能在任意版本W(wǎng)indows操作系統(tǒng)上正常運(yùn)行；

配套探測(cè)器表征：生產(chǎn)廠家出廠前的點(diǎn)源基準(zhǔn)效率曲線；

精度：樣品基質(zhì)均勻、且活度在樣品中分布均勻，參數(shù)輸入準(zhǔn)確情況下，誤差水 平≤5%；

功能：由點(diǎn)源/柱體 狀（體源）/平面狀 （面源）/馬林杯樣 品源之中的任一系列標(biāo)準(zhǔn)源的完整效率曲線為基準(zhǔn)，

由軟件推演計(jì)算其它形式樣品的效率刻度曲線；

具有符合相加修正功能；

方法的可溯源性：如基準(zhǔn)效率曲線所用的刻度源為可溯源，則此方法下獲得的測(cè)量結(jié)果亦可溯源

·  基礎(chǔ)參數(shù)

設(shè)備型號(hào)RJ46

·  高純鍺探頭

探測(cè)器類型：P型寬能型

晶體尺寸：面積≥3300mm2；厚度 ≥55mm

相對(duì)探測(cè)效率：≥50%

能量響應(yīng)范圍：3 keV～10 MeV

能量分辨率 FWHM：對(duì) 5.9 keV 峰（Fe-55）： ≤0.85 keV、對(duì) 122 keV 峰 （Co-57）： ≤0.9 keV、對(duì) 1.33 MeV 峰 （Co-60）：≤1.9 keV

峰康比：≥65：1

峰形參數(shù)：FW0.1M/FWHM ≤  1.9，F(xiàn)W.02M/FWHM ≤2.60（典型值）

結(jié)構(gòu)與封裝：窗口直徑≥80mm，為方便應(yīng)急現(xiàn)場(chǎng)更 換探測(cè)器或制冷方 式更換，及后期維護(hù)保養(yǎng)方便，

探測(cè)器與冷指可現(xiàn)場(chǎng)拆卸及安裝；為降低探測(cè)器自身本底，提高射線進(jìn)入高純鍺晶體穿透能力，耐腐蝕，

探測(cè)器須采用整體低本底全碳纖維封裝。

·  探頭制冷裝置

壓縮機(jī)壽命：大于 20 萬小時(shí)

液氮罐：≥26 升

連續(xù)運(yùn)行時(shí)間：充滿液氮、連續(xù)通電運(yùn)行條件下可維持工作 360 天以上而無 需填充液氮

狀態(tài)顯示：以文字或數(shù)字形式顯示如下信息：制冷狀態(tài)（是否在液氮循 環(huán)狀態(tài)）、液位狀態(tài)

噪音：壓縮機(jī)一米距離處 ≤60dB

功耗：≤130W

液氮儲(chǔ)運(yùn)裝置：30 升液氮罐，輸液氮軟管，自增壓輸液氮裝置各一

·  數(shù)字化多通道譜儀

**數(shù)據(jù)通過率：≥100kcps

積分非線性：≤±0.025%

微分非線性：≤1%

功能：具有低頻噪聲抑制、 自動(dòng)**化、自動(dòng)極零、零死時(shí)間校正、 脈沖高度分析、列表模式和虛擬示波器等功能

顯示、接口要求：顯示：彩色液晶連續(xù)實(shí)時(shí)顯示狀態(tài)和譜圖信息；

接口：提供 USB 和 Ethernet 接口

多道道址范圍：256道—64000道可選

數(shù)字化穩(wěn)譜：自動(dòng)控制并穩(wěn)定增 益和零點(diǎn)

脈沖抗堆積：脈沖對(duì)間隔≤500ns

·  **本底鉛室

結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)：壓桿式頂部平移開 門設(shè)計(jì)，一體化澆 筑，高溫噴塑處理

鉛室主體由外到內(nèi)的 構(gòu)造：10mm 低碳鋼外襯、10cm 低本底鉛 4pi  方向屏蔽（其中含   25mm **本底鉛室  老鉛）、

2 mm 無氧銅， 吸收 X 射線

本底：系統(tǒng) 24 小時(shí)積分本 底：在 40%相對(duì)效率 高純鍺探頭檢測(cè)，50 keV-2MeV 能量范圍下，正常放射性環(huán)境下≤2CPS

內(nèi)腔尺寸：≥Φ280mm×H410mm

重量：≥1.1 噸